OSUSZANIE BUDYNKÓW

Iniekcja Krystaliczna® – informacje praktyczne

Metoda osuszania Iniekcją Krystaliczną nie przewiduje wstępnego osuszania ani odsalania murów, a wręcz przeciwnie – zakłada wykorzystanie cieczy kapilarnych jako drogi do penetracji, a następnie krystalizacji uszczelniającej pory i kapilary materiału budowlanego, a w szczególności cegły ceramicznej i zaprawy wapiennej. Uszczelniające działanie Iniekcji Krystalicznej polega na tym, że jeden ze składników mieszaniny – aktywator krzemianowy, penetruje mur metodą dyfuzji w promieniu ok. 7-8 cm od środka otworu. Następnie jony wapniowe, pochodzące ze specyficznej dysocjacji portlantydu (minerału będącego składnikiem cementu portlandzkiego), powodują wytrącenie w kapilarach, nierozpuszczalnego w wodzie, związku polikrzemianu wapniowego.

Charakterystyczną cechą wytrąconych związków jest to, że ich wytrącenie na początku kapilary nie blokuje penetracji w jej głębszych częściach, tak jak ma to miejsce podczas stosowania na przykład mieszaniny szkła wodnego z różnymi dodatkami typu chlorku wapnia czy innymi, gdzie promień penetracji, a zatem i blokady przeciwwilgociowej jest bardzo mały i technicznie bez znaczenia. Podobne mankamenty występują często podczas stosowania metod polegających na utwardzaniu szkła wodnego za pomocą estrów organicznych.

Nagrody i wyróżnienia na świecie

Na 42 Światowej Wystawie Wynalazczości w Brukseli technologia Iniekcji Krystalicznej® została nagrodzona złotym medalem ze specjalnym wyróżnieniem jury, medalem burmistrza Brukseli i nagrodą ambasadorów RP w Belgii. Technologia Iniekcji Krystalicznej® została zgłoszona do reprezentowania Polski na Światowej Własności Intelektualnej w Genewie w Szwajcarii i została wyróżniona złotym medalem, była prezentowana na Światowej Wystawie Wynalazczości w Pittsburghu w USA i została także wyróżniona złotym medalem oraz nagrodą specjalną Rosyjskiej Akademii Nauk. Technologia Iniekcji Krystalicznej® była wystawiana na Światowej Wystawie Wynalazczości w Pekinie w Chinach i tam też została nagrodzona w głównym konkursie złotym medalem oraz nagrodą towarzyszącą w postaci złotego medalu i certyfikatu od organizatorów Światowej wystawy w Casablance w Maroku – jako najlepszy wynalazek prezentowany na wystawie pekińskiej. W 1997 r. wynalazek Iniekcji Krystalicznej® przedstawiono na Światowej Wystawie Wynalazczości w Norymberdze w Niemczech i także został uhonorowany złotym medalem z wyróżnieniem. W lutym 2001 r. wynalazek był prezentowany na Światowej Wystawie Wynalazczości w Moskwie i został wyróżniony także złotym medalem.

Oto niektóre obiekty osuszone metodą Iniekcji Krystalicznej®

• Budynek „Judaicum” na Uniwersytecie Jagiellońskim osuszony w 1995 roku.
• Teatr Narodowy w Warszawie osuszony w latach 1990-93.
• Pałac w Teresinie koło Warszawy osuszony w 1994 roku.
• Cerkiew w Sławatyczach osuszona w 2004 roku.
• Dworek w Żelazowej Woli – miejsce urodzenia F.Chopina. Osuszony w 1992 roku.
• Rezydencja Premiera Rządu RP w Warszawie osuszona w 1995 roku.
• XIX-wieczny dworek w Woli Gołkowskiej osuszony w 1998 roku.
• Zabytkowy budynek „Laboratorium” w Zamku Ujazdowskim osuszony w 1993 roku.
• Audytorium Maximum Uniwersytetu Warszawskiego osuszone w 2006 roku.
• Kościół seminaryjny przy ul. Mehoffera w Warszawie osuszony w 2003 roku.
• Wydział Rzeźby ASP w Warszawie osuszony w 1995 roku.
• Kościół w Rzeczniowie osuszony w 2006 roku.
• Hotel Royal w Krakowie osuszony w 1991/92 roku.
• Budynek „Sauny” w Obozie Koncentracyjnym w Brzezince osuszony w 1998 roku.
• Budynek Inżynierii Lądowej Politechniki Krakowskiej osuszony w 1996 roku.
• Kościół w Sieciechowie osuszony w 2006 roku.
• Budynek Dowództwa Wojsk Lądowych w Cytadeli Warszawskiej osuszony w 2003 roku.
• Pałac Stanisława Klickiego w Łowiczu osuszony w 1987 roku.
• Kościół w Bończy osuszony w 2006 roku.
• Mały Dziedziniec na terenie Uniwersytetu Warszawskiego osuszony w 2006 roku.Neobarokowy budynek szpitala w Pułtusku osuszony w 2005 roku.
• Klasztor Sióstr Rodziny Maryi w Warszawie osuszony w 1991 roku.
• Muzeum Gazownictwa w Warszawie osuszone w 1997 roku.
• Centrum Kultury Żydowskiej w Krakowie osuszone w 1993 roku.
• Sztab generalny WP w Warszawie osuszony w 1998 roku.
• Budynek Muzeum Marii Konopnickiej w Żarnowcu osuszony w 2002 roku.
• Budynek Ambasady Watykanu w Warszawie osuszony w 2001 roku.
• Królewska Akademia Hiszpańska w Rzymie osuszona w 2005 roku.
• Kościół w Jasieńcu k/Grójca osuszony w 2004 roku.
• Pałac Królowej Marysieńki w Gniewie osuszony w 1991 roku.

Izolacja Pozioma w technologii Iniekcji Krystalicznej®

• w jednej linii równolegle do powierzchni posadzki co 10 – 15cm. w zależności od stopnia zasolenia murów wierci się otwory iniekcyjne o średnicy 20mm. i na głębokość grubości murów minus 5cm., oraz pod kątem 15 – 30 stopni,
• otwory przed właściwą iniekcją obligatoryjnie nawilża się wodą w ilości około 0,5l na otwór (w zależności od pojemności otworu),
• po upływie ok. 1 godziny od nawilżenia wprowadza się do otworów metodą grawitacyjną środek iniekcyjny składający się z wodnego roztworu specjalnego cementu i aktywatora krzemianowego, zużycie środka iniekcyjnego wynosi tyle ile wynosi objętość fizyczna otworu iniekcyjnego, przy czym środek iniekcyjny jest jednocześnie środkiem zaślepiającym otwory,
• po iniekcji otwory iniekcyjne dodatkowo zrównuje się z licem muru przy użyciu szpachelki tym samym środkiem iniekcyjnym lecz o gęstszej konsystencji,
• przepona przeciwwilgociowa formuje się w murze do około 7-10 dni od iniekcji w zależności od temperatury murów.

Izolacja Pionowa w technologii Iniekcji Krystalicznej®

Pionowa izolacja przeciwwilgociowa dotyczy zewnętrznych i wewnętrznych murów znajdujących się poniżej poziomu gruntu, również bez odkopywania fundamentów. Przy wykonaniu pionowej izolacji należy najpierw odtworzyć poziomą izolację przeciwwilgociową, a następnie należy ponad rzędem otworów poziomej izolacji wykonać siatkę otworów, w której odległości od osi otworów wynoszą 15 – 20 cm, przy czym każdy następny rząd otworów w siatce jest przesunięty wobec poprzedniego 7,5 – 10cm. Siatka otworów ma sięgać zewnętrznego poziomu gruntu, przy czym ostatni rząd otworów jest wiercony w ten sam sposób co w izolacji poziomej, czyli co 12,5 cm od osi otworów.